SME6G30US60 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SME6G30US60
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Encapsulados: 17PM-CA
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SME6G30US60 datasheet
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Otros transistores... SMC7G5US120 , SME6G10US120 , SME6G10US60 , SME6G15US120 , SME6G15US60 , SME6G20US120 , SME6G20US60 , SME6G25US120 , CRG60T60AN3H , SME6G50US60 , SME6G5US120 , SNG201017 , SNG201025 , SNG20620A , SNG301010 , SNG30610 , SNG30610A .
History: JT075N065GHED | IXXH50N60C3D1 | MPBQ50N120B | IXXH50N60B3 | ISL9V2540S3ST | BG150B12UY3-I | ISL9V3036D3S
History: JT075N065GHED | IXXH50N60C3D1 | MPBQ50N120B | IXXH50N60B3 | ISL9V2540S3ST | BG150B12UY3-I | ISL9V3036D3S
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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