SME6G30US60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SME6G30US60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Тип корпуса: 17PM-CA

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SME6G30US60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SME6G30US60 даташит

No data!

Другие IGBT... SMC7G5US120, SME6G10US120, SME6G10US60, SME6G15US120, SME6G15US60, SME6G20US120, SME6G20US60, SME6G25US120, CRG60T60AN3H, SME6G50US60, SME6G5US120, SNG201017, SNG201025, SNG20620A, SNG301010, SNG30610, SNG30610A