STGB7NB60HD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STGB7NB60HD 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 80 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 390pF pF
Encapsulados: D2PAK
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STGB7NB60HD datasheet
stgb7nb60hd.pdf
STGB7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB7NB60HD 600 V
stgb7nb60.pdf
STGB7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB7NB60HD 600 V
stgb7nb40lz.pdf
STGB7NB40LZ N-CHANNEL CLAMPED 14A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT TYPE VCES VCE(sat) IC STGB7NB40LZ CLAMPED
stgp7nc60hd stgf7nc60hd stgb7nc60hd.pdf
STGP7NC60HD STGF7NC60HD - STGB7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D PAK Very Fast PowerMESH IGBT Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25 C @100 C STGP7NC60HD 600 V
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