STGB7NB60HD Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: STGB7NB60HD
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 14 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 390pF pF
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для STGB7NB60HD
STGB7NB60HD Datasheet (PDF)
stgb7nb60hd.pdf

STGB7NB60HDN-CHANNEL 7A - 600V DPAK PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB7NB60HD 600 V
stgb7nb60.pdf

STGB7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V - DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB7NB60HD 600 V
stgb7nb40lz.pdf

STGB7NB40LZN-CHANNEL CLAMPED 14A - D2PAKINTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGB7NB40LZ CLAMPED
stgp7nc60hd stgf7nc60hd stgb7nc60hd.pdf

STGP7NC60HDSTGF7NC60HD - STGB7NC60HDN-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAKVery Fast PowerMESH IGBTTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VCES VCE(sat) (Max) IC @25C @100CSTGP7NC60HD 600 V
Другие IGBT... SNG401225 , SNG40660 , STGB10N60L , STGB10NB37LZ , STGB20NB32LZ , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , STGB3NB60HD , CRG60T60AN3H , STGD3NB60S , STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP , STGW12NB60H , STGW20NB60H , STGW20NB60HD .
History: IRG7SC28U
History: IRG7SC28U



Список транзисторов
Обновления
IGBT: DHG20T65D | G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2
Popular searches
c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023