STGD3NB60S Todos los transistores

 

STGD3NB60S - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STGD3NB60S
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 3 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 170 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 255pF pF
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de STGD3NB60S IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STGD3NB60S Datasheet (PDF)

 0.1. Size:308K  st
 stgd3nb60sd.pdf pdf_icon

STGD3NB60S

STGD3NB60SDN-CHANNEL 3A - 600V - DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGD3NB60SD 600 V

 0.2. Size:411K  st
 stgp3nb60s-stgd3nb60s.pdf pdf_icon

STGD3NB60S

STGP3NB60SSTGD3NB60SN-CHANNEL 3A - 600V - TO-220 / DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTGP3NB60S 600 V

 5.1. Size:313K  st
 stgd3nb60h.pdf pdf_icon

STGD3NB60S

STGD3NB60HN-CHANNEL 3A - 600V - DPAKPowerMESH IGBTTYPE VCES VCE(sat) ICSTD3NB60H 600 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SNG40660 , STGB10N60L , STGB10NB37LZ , STGB20NB32LZ , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , STGB3NB60HD , STGB7NB60HD , GT45F122 , STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP , STGW12NB60H , STGW20NB60H , STGW20NB60HD , STGW30NB60HD .

History: OST75N65HSXF

 

 
Back to Top

 


 
.