STGD3NB60S - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: STGD3NB60S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 3 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 170 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 255pF pF
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для STGD3NB60S

 

 

STGD3NB60S Datasheet (PDF)

Другие IGBT... SNG40660 , STGB10N60L , STGB10NB37LZ , STGB20NB32LZ , STGB20NB37LZ , STGB30NB60H , STGB3NB60HD , STGB7NB60HD , CRG40T60AK3HD , STGD7NB60H , STGP10N60L , STGP7NB60HD , STGP7NB60HDFP , STGW12NB60H , STGW20NB60H , STGW20NB60HD , STGW30NB60HD .