FGA20S120M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGA20S120M  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 348 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 176 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 53 pF

Encapsulados: TO3PN

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FGA20S120M datasheet

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FGA20S120M

April 2010 FGA20S120M tm TM 1200V, 20A ShortedAnode IGBT Features General Description High speed switching Using advanced Field Stop Trench and ShortedAnode technol- ogy, Fairchild s 1200V ShortedAnodeTM Trench IGBTs offer Low saturation voltage VCE(sat) =1.55V @ IC = 20A superior conduction and switching performances, and easy par- High input impedance allel operation

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FGA20S120M

December 2007 FGA20N120FTD tm 1200V, 20A Trench IGBT Features Field stop trench technology General Description High speed switching Using advanced field stop trench technology, Fairchild s 1200V Low saturation voltage VCE(sat) =1.6V @ IC = 20A trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High input impedance mances, and easy parallel operation wi

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