FGA20S120M Todos los transistores

 

FGA20S120M - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGA20S120M
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 348 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 176 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 53 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 208 nC
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FGA20S120M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:780K  fairchild semi
 fga20s120m.pdf pdf_icon

FGA20S120M

April 2010FGA20S120MtmTM1200V, 20A ShortedAnode IGBTFeatures General Description High speed switching Using advanced Field Stop Trench and ShortedAnode technol-ogy, Fairchilds 1200V ShortedAnodeTM Trench IGBTs offer Low saturation voltage: VCE(sat) =1.55V @ IC = 20Asuperior conduction and switching performances, and easy par- High input impedanceallel operation

 9.1. Size:715K  fairchild semi
 fga20n120ftd.pdf pdf_icon

FGA20S120M

December 2007FGA20N120FTDtm1200V, 20A Trench IGBTFeatures Field stop trench technologyGeneral Description High speed switchingUsing advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200V Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 20Atrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High input impedancemances, and easy parallel operation wi

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