FGA20S120M - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGA20S120M
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 348 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 176 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 53 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 208 nC
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de FGA20S120M - IGBT
FGA20S120M Datasheet (PDF)
fga20s120m.pdf
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fga20n120ftd.pdf
December 2007FGA20N120FTDtm1200V, 20A Trench IGBTFeatures Field stop trench technologyGeneral Description High speed switchingUsing advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200V Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 20Atrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High input impedancemances, and easy parallel operation wi
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Liste
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