Справочник IGBT. FGA20S120M

 

FGA20S120M - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGA20S120M
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 348 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 176 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 53 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 208 nC
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для FGA20S120M

 

 

FGA20S120M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:780K  fairchild semi
 fga20s120m.pdf

FGA20S120M FGA20S120M

April 2010FGA20S120MtmTM1200V, 20A ShortedAnode IGBTFeatures General Description High speed switching Using advanced Field Stop Trench and ShortedAnode technol-ogy, Fairchilds 1200V ShortedAnodeTM Trench IGBTs offer Low saturation voltage: VCE(sat) =1.55V @ IC = 20Asuperior conduction and switching performances, and easy par- High input impedanceallel operation

 9.1. Size:715K  fairchild semi
 fga20n120ftd.pdf

FGA20S120M FGA20S120M

December 2007FGA20N120FTDtm1200V, 20A Trench IGBTFeatures Field stop trench technologyGeneral Description High speed switchingUsing advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200V Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 20Atrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High input impedancemances, and easy parallel operation wi

Другие IGBT... TA49121 , TA49123 , TA49182 , TA9895 , FGA15N120ANTDTU-F109 , FGA15N120FTD , FGA180N33ATD , FGA20N120FTD , FGL60N100BNTD , FGA25N120ANTD , FGA25N120ANTDTU-F109 , FGA25N120FTD , FGA30N120FTD , FGA30N60LSD , FGA50N100BNT , FGA50N100BNTD , FGA50N100BNTD2 .

 

 
Back to Top