FGA90N33ATD Todos los transistores

 

FGA90N33ATD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGA90N33ATD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 223 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 135 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 95 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
     - Selección de transistores por parámetros

 

FGA90N33ATD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  fairchild semi
 fga90n33atd.pdf pdf_icon

FGA90N33ATD

April 2008FGA90N33ATDtm330V, 90A PDP Trench IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 20Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

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History: DGC60F65M | GT50N324 | SGB15N60HS | IRGB4060D | BT15N120ANF | IRGP4066D-E | MGD622

 

 
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