FGA90N33ATD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGA90N33ATD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 223 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 135 pF
Encapsulados: TO3P
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FGA90N33ATD datasheet
fga90n33atd.pdf
April 2008 FGA90N33ATD tm 330V, 90A PDP Trench IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.1V @ IC = 20A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw
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