Справочник IGBT. FGA90N33ATD

 

FGA90N33ATD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGA90N33ATD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 135 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для FGA90N33ATD

 

 

FGA90N33ATD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:748K  fairchild semi
 fga90n33atd.pdf

FGA90N33ATD FGA90N33ATD

April 2008FGA90N33ATDtm330V, 90A PDP Trench IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 20Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

Другие IGBT... FGA25N120ANTDTU-F109 , FGA25N120FTD , FGA30N120FTD , FGA30N60LSD , FGA50N100BNT , FGA50N100BNTD , FGA50N100BNTD2 , FGA60N60UFD , FGH30S130P , FGAF40N60UF , FGAF40N60UFD , FGB20N60SF , FGB20N60SFD , FGD3N60LSD , FGD4536 , FGH20N60SFD , FGH20N60UFD .

 

 
Back to Top