FGA90N33ATD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FGA90N33ATD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 135 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FGA90N33ATD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGA90N33ATD даташит

 ..1. Size:748K  fairchild semi
 fga90n33atd.pdf pdf_icon

FGA90N33ATD

April 2008 FGA90N33ATD tm 330V, 90A PDP Trench IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.1V @ IC = 20A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

Другие IGBT... FGA25N120ANTDTU-F109, FGA25N120FTD, FGA30N120FTD, FGA30N60LSD, FGA50N100BNT, FGA50N100BNTD, FGA50N100BNTD2, FGA60N60UFD, TGAN60N60F2DS, FGAF40N60UF, FGAF40N60UFD, FGB20N60SF, FGB20N60SFD, FGD3N60LSD, FGD4536, FGH20N60SFD, FGH20N60UFD