FGA90N33ATD - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги FGA90N33ATD. Основные параметры


   Наименование: FGA90N33ATD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 135 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для FGA90N33ATD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGA90N33ATD даташит

 ..1. Size:748K  fairchild semi
 fga90n33atd.pdf pdf_icon

FGA90N33ATD

April 2008 FGA90N33ATD tm 330V, 90A PDP Trench IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.1V @ IC = 20A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast sw

Другие IGBT... FGA25N120ANTDTU-F109 , FGA25N120FTD , FGA30N120FTD , FGA30N60LSD , FGA50N100BNT , FGA50N100BNTD , FGA50N100BNTD2 , FGA60N60UFD , TGD30N40P , FGAF40N60UF , FGAF40N60UFD , FGB20N60SF , FGB20N60SFD , FGD3N60LSD , FGD4536 , FGH20N60SFD , FGH20N60UFD .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.