BUK866-400IZ IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK866-400IZ
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 12 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.2 V @25℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 95 pF
Encapsulados: SOT404
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BUK866-400IZ datasheet
buk866-400 iz 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification Insulated Gate Bipolar Transistor BUK866-400 IZ Protected Logic-Level IGBT GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Protected N-channel logic-level SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNIT insulated gate bipolar power transistor in a plastic envelope V(CL)CER Collector-emitter clamp voltage 370 410 500 V suitable for surface mount VCEsat Collec
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History: IGW40N60DTP
History: IGW40N60DTP
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