BUK866-400IZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK866-400IZ
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 12 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 95 pF
Paquete / Cubierta: SOT404
Búsqueda de reemplazo de BUK866-400IZ - IGBT
BUK866-400IZ Datasheet (PDF)
buk866-400 iz 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification Insulated Gate Bipolar Transistor BUK866-400 IZ Protected Logic-Level IGBTGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAProtected N-channel logic-level SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNITinsulated gate bipolar powertransistor in a plastic envelope V(CL)CER Collector-emitter clamp voltage 370 410 500 Vsuitable for surface mount VCEsat Collec
Otros transistores... IGC142T120T6RH , IGC142T120T6RL , IGC142T120T6RM , IGC28T65T8M , IGC28T65QE , BUK854-800A , BUK856-400IZ , BUK856-800A , IHW20N120R3 , CM75DY-28H , CT15SM-24 , CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2