BUK866-400IZ Todos los transistores

 

BUK866-400IZ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK866-400IZ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 12 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 95 pF
   Paquete / Cubierta: SOT404
 

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BUK866-400IZ Datasheet (PDF)

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 buk866-400 iz 2.pdf pdf_icon

BUK866-400IZ

Philips Semiconductors Product specification Insulated Gate Bipolar Transistor BUK866-400 IZ Protected Logic-Level IGBTGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAProtected N-channel logic-level SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNITinsulated gate bipolar powertransistor in a plastic envelope V(CL)CER Collector-emitter clamp voltage 370 410 500 Vsuitable for surface mount VCEsat Collec

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History: STGWA20HP65FB2 | AUIRGP66524D0 | BSM35GP120 | IXGF20N300 | SRE30N065FSSDF | SKM75GB124D | 1MBC05D-060

 

 
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