Справочник IGBT. BUK866-400IZ

 

BUK866-400IZ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BUK866-400IZ
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 12 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
   Тип корпуса: SOT404
 

 Аналог (замена) для BUK866-400IZ

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BUK866-400IZ Datasheet (PDF)

 4.1. Size:70K  philips
 buk866-400 iz 2.pdf pdf_icon

BUK866-400IZ

Philips Semiconductors Product specification Insulated Gate Bipolar Transistor BUK866-400 IZ Protected Logic-Level IGBTGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAProtected N-channel logic-level SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNITinsulated gate bipolar powertransistor in a plastic envelope V(CL)CER Collector-emitter clamp voltage 370 410 500 Vsuitable for surface mount VCEsat Collec

Другие IGBT... IGC142T120T6RH , IGC142T120T6RL , IGC142T120T6RM , IGC28T65T8M , IGC28T65QE , BUK854-800A , BUK856-400IZ , BUK856-800A , IRG7IC28U , CM75DY-28H , CT15SM-24 , CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 .

History: IXSX35N120AU1 | FGHL40S65UQ | IXGA30N60C3 | 2MBI600NT-060 | SGW13N60UFD | SKM75GB176D | BSM200GAL120DLC

 

 
Back to Top

 


 
.