BUK866-400IZ - аналоги и описание IGBT

 

BUK866-400IZ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: BUK866-400IZ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 12 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF

Тип корпуса: SOT404

 Аналог (замена) для BUK866-400IZ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BUK866-400IZ даташит

 4.1. Size:70K  philips
 buk866-400 iz 2.pdf pdf_icon

BUK866-400IZ

Philips Semiconductors Product specification Insulated Gate Bipolar Transistor BUK866-400 IZ Protected Logic-Level IGBT GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Protected N-channel logic-level SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNIT insulated gate bipolar power transistor in a plastic envelope V(CL)CER Collector-emitter clamp voltage 370 410 500 V suitable for surface mount VCEsat Collec

Другие IGBT... IGC142T120T6RH , IGC142T120T6RL , IGC142T120T6RM , IGC28T65T8M , IGC28T65QE , BUK854-800A , BUK856-400IZ , BUK856-800A , BT40T60ANF , CM75DY-28H , CT15SM-24 , CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.