FGL35N120FTD Todos los transistores

 

FGL35N120FTD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGL35N120FTD

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.68

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 35

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO264

Búsqueda de reemplazo de FGL35N120FTD - IGBT

 

FGL35N120FTD Datasheet (PDF)

1.1. fgl35n120ftd.pdf Size:727K _fairchild_semi

FGL35N120FTD
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February 2010 FGL35N120FTD tm 1200V, 35A Trench IGBT Features General Description • Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- • High Speed Switching mances, and easy parallel operation with exceptional avalanche • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35A r

Otros transistores... FGH50N3 , FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH80N60FD , FGH80N60FD2 , RJP30H1DPD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD .

 

 
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