FGL35N120FTD Todos los transistores

 

FGL35N120FTD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGL35N120FTD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 368 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.68 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
     - Selección de transistores por parámetros

 

FGL35N120FTD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  fairchild semi
 fgl35n120ftd.pdf pdf_icon

FGL35N120FTD

February 2010FGL35N120FTDtm1200V, 35A Trench IGBTFeatures General Description Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200Vtrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High Speed Switchingmances, and easy parallel operation with exceptional avalanche Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35Ar

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History: 2M410V1 | SGT20T60SDM1P7 | GT45G128 | GT40J321 | IKD15N60R | FGH40N60SMD | KGH25N120NDA

 

 
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