FGL35N120FTD Todos los transistores

 

FGL35N120FTD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGL35N120FTD
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 368 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.68 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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FGL35N120FTD datasheet

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FGL35N120FTD

February 2010 FGL35N120FTD tm 1200V, 35A Trench IGBT Features General Description Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchild s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High Speed Switching mances, and easy parallel operation with exceptional avalanche Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35A r

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