FGL35N120FTD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGL35N120FTD
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc):
Tensión colector-emisor (Vce): 1200
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.68
Tensión emisor-compuerta (Veg):
Corriente del colector DC máxima (Ic): 35
Temperatura operativa máxima (Tj), °C:
Tiempo de elevación:
Capacitancia de salida (Cc), pF:
Empaquetado / Estuche: TO264
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FGL35N120FTD Datasheet (PDF)
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February 2010 FGL35N120FTD tm 1200V, 35A Trench IGBT Features General Description • Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchild’s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- • High Speed Switching mances, and easy parallel operation with exceptional avalanche • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35A r
Otros transistores... FGH50N3 , FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH80N60FD , FGH80N60FD2 , RJP30H1DPD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD .



Liste
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