FGL35N120FTD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGL35N120FTD
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 368 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.68 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 63 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 180 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 210 nC
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de FGL35N120FTD - IGBT
FGL35N120FTD Datasheet (PDF)
fgl35n120ftd.pdf
February 2010FGL35N120FTDtm1200V, 35A Trench IGBTFeatures General Description Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200Vtrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High Speed Switchingmances, and easy parallel operation with exceptional avalanche Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35Ar
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Liste
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