FGL35N120FTD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: FGL35N120FTD

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.68

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для FGL35N120FTD

FGL35N120FTD Datasheet (PDF)

0.1. fgl35n120ftd.pdf Size:727K _fairchild_semi

February 2010FGL35N120FTDtm1200V, 35A Trench IGBTFeatures General Description Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200Vtrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High Speed Switchingmances, and easy parallel operation with exceptional avalanche Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35Ar

Другие IGBT... FGH50N3 , FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH80N60FD , FGH80N60FD2 , RJP30H1DPD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD .