Справочник IGBT. FGL35N120FTD

 

FGL35N120FTD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGL35N120FTD
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 368 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.68 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 63 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 210 nC
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для FGL35N120FTD

 

 

FGL35N120FTD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  fairchild semi
 fgl35n120ftd.pdf

FGL35N120FTD FGL35N120FTD

February 2010FGL35N120FTDtm1200V, 35A Trench IGBTFeatures General Description Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200Vtrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High Speed Switchingmances, and easy parallel operation with exceptional avalanche Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35Ar

Другие IGBT... FGH50N3 , FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH80N60FD , FGH80N60FD2 , MBQ60T65PES , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD .

 

 
Back to Top