FGL35N120FTD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FGL35N120FTD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 368 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.68 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 63 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF

Тип корпуса: TO264

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FGL35N120FTD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGL35N120FTD даташит

 ..1. Size:727K  fairchild semi
 fgl35n120ftd.pdf pdf_icon

FGL35N120FTD

February 2010 FGL35N120FTD tm 1200V, 35A Trench IGBT Features General Description Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchild s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High Speed Switching mances, and easy parallel operation with exceptional avalanche Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35A r

Другие IGBT... FGH50N3, FGH60N60SF, FGH60N60SFD, FGH60N60SMD, FGH60N60UFD, FGH75N60UF, FGH80N60FD, FGH80N60FD2, FGH40N60SFD, FGL60N100BNTD, FGP20N60UFD, FGP5N60LS, FGPF4533, FGPF4536, FGPF4633, FGPF50N33BT, FGY75N60SMD