FGL35N120FTD - аналоги и описание IGBT

 

FGL35N120FTD - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: FGL35N120FTD
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 368 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.68 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 63 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для FGL35N120FTD

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры FGL35N120FTD

 ..1. Size:727K  fairchild semi
 fgl35n120ftd.pdf pdf_icon

FGL35N120FTD

February 2010 FGL35N120FTD tm 1200V, 35A Trench IGBT Features General Description Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchild s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High Speed Switching mances, and easy parallel operation with exceptional avalanche Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35A r

Другие IGBT... FGH50N3 , FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH80N60FD , FGH80N60FD2 , FGD4536 , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD .

 

 
Back to Top

 


 
.