FGL60N100BNTD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGL60N100BNTD
Código: G60N100BNTD
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 180
Tensión colector-emisor (Vce): 1000
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.9
Tensión emisor-compuerta (Veg): 25
Corriente del colector DC máxima (Ic): 60
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Tiempo de elevación: 320
Capacitancia de salida (Cc), pF: 260
Empaquetado / Estuche: TO264
Búsqueda de reemplazo de FGL60N100BNTD - IGBT
FGL60N100BNTD Datasheet (PDF)
1.1. fgl60n100bntd.pdf Size:520K _fairchild_semi
IGBT FGL60N100BNTD NPT-Trench IGBT General Description Features Trench insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with NPT • High Speed Switching technology show outstanding performance in conduction • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60A and switching characteristics as well as enhanced • High Input Impedance avalanche ruggedness. These devices are well suited for
Otros transistores... FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH80N60FD , FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , IKW50N60H3 , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , SGF23N60UF .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: MGD622 | GT50N324 | BT60N60ANF | 2PG011 | MBQ40T65FDSC | IGF40T120F | FGPF30N45TTU | FGH40T65SHDF_F155 | IXBT15N170 | IXBH9N160 |