FGL60N100BNTD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGL60N100BNTD

Código: G60N100BNTD

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 180

Tensión colector-emisor (Vce): 1000

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.9

Tensión emisor-compuerta (Veg): 25

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 320

Capacitancia de salida (Cc), pF: 260

Empaquetado / Estuche: TO264

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FGL60N100BNTD Datasheet (PDF)

1.1. fgl60n100bntd.pdf Size:520K _fairchild_semi

IGBT FGL60N100BNTD NPT-Trench IGBT General Description Features Trench insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with NPT • High Speed Switching technology show outstanding performance in conduction • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60A and switching characteristics as well as enhanced • High Input Impedance avalanche ruggedness. These devices are well suited for

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