FGL60N100BNTD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGL60N100BNTD
Маркировка: G60N100BNTD
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60
Максимальная температура перехода (Tj): 150
Время нарастания: 320
Емкость коллектора (Cc), pf: 260
Корпус: TO264
Аналог (замена) для FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD Datasheet (PDF)
1.1. fgl60n100bntd.pdf Size:520K _fairchild_semi
IGBT FGL60N100BNTD NPT-Trench IGBT General Description Features Trench insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with NPT • High Speed Switching technology show outstanding performance in conduction • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60A and switching characteristics as well as enhanced • High Input Impedance avalanche ruggedness. These devices are well suited for
Другие IGBT... FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH80N60FD , FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , IKW50N60H3 , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , SGF23N60UF .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: MGD622 | GT50N324 | BT60N60ANF | 2PG011 | MBQ40T65FDSC | IGF40T120F | FGPF30N45TTU | FGH40T65SHDF_F155 | IXBT15N170 | IXBH9N160 |