Справочник IGBT. FGL60N100BNTD

 

FGL60N100BNTD - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: FGL60N100BNTD

Маркировка: G60N100BNTD

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 25

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 320

Емкость коллектора (Cc), pf: 260

Корпус: TO264

Аналог (замена) для FGL60N100BNTD

 

 

FGL60N100BNTD Datasheet (PDF)

1.1. fgl60n100bntd.pdf Size:520K _fairchild_semi

FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD

IGBT FGL60N100BNTD NPT-Trench IGBT General Description Features Trench insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with NPT • High Speed Switching technology show outstanding performance in conduction • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.5 V @ IC = 60A and switching characteristics as well as enhanced • High Input Impedance avalanche ruggedness. These devices are well suited for

Другие IGBT... FGH60N60SF , FGH60N60SFD , FGH60N60SMD , FGH60N60UFD , FGH75N60UF , FGH80N60FD , FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , IKW50N60H3 , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , SGF23N60UF .

 

 
Back to Top