FGPF50N33BT Todos los transistores

 

FGPF50N33BT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGPF50N33BT
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 43 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 70 pF
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de FGPF50N33BT IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FGPF50N33BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  fairchild semi
 fgpf50n33bt.pdf pdf_icon

FGPF50N33BT

April 2009FGPF50N33BTtm330V, 50A PDP IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 50Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast switching

Otros transistores... FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , SGT40N60NPFDPN , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , NGB15N41CL , NGB18N40CLB , NGB8202AN , NGB8202N .

 

 
Back to Top

 


 
.