FGPF50N33BT Todos los transistores

 

FGPF50N33BT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGPF50N33BT
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 43
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 330
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.3
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 33
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 70
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 35
   Paquete / Cubierta: TO220F

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FGPF50N33BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  fairchild semi
fgpf50n33bt.pdf

FGPF50N33BT
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April 2009FGPF50N33BTtm330V, 50A PDP IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 50Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast switching

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