FGPF50N33BT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGPF50N33BT

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 330

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.6

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO220F

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FGPF50N33BT Datasheet (PDF)

1.1. fgpf50n33bt.pdf Size:655K _fairchild_semi

April 2009 FGPF50N33BT tm 330V, 50A PDP IGBT Features General Description • High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- • Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 50A tions where low conduction and switching losses are essential. • High input impedance • Fast switching

Otros transistores... FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , RJH60F5DPK , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , NGB15N41CLT4 , NGB18N40CLB , NGB8202A , NGB8202N .