FGPF50N33BT - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FGPF50N33BT
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 43
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 330
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 50
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.3
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 33
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 70
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 35
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de FGPF50N33BT - IGBT
FGPF50N33BT Datasheet (PDF)
fgpf50n33bt.pdf
April 2009FGPF50N33BTtm330V, 50A PDP IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 50Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast switching
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Liste
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