FGPF50N33BT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGPF50N33BT  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 43 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 330 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 33 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 70 pF

Encapsulados: TO220F

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FGPF50N33BT datasheet

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FGPF50N33BT

April 2009 FGPF50N33BT tm 330V, 50A PDP IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.6V @ IC = 50A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast switching

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