FGPF50N33BT - аналоги и описание IGBT

 

FGPF50N33BT - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FGPF50N33BT

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для FGPF50N33BT

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGPF50N33BT даташит

 ..1. Size:655K  fairchild semi
 fgpf50n33bt.pdf pdf_icon

FGPF50N33BT

April 2009 FGPF50N33BT tm 330V, 50A PDP IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.6V @ IC = 50A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast switching

Другие IGBT... FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , CRG40T60AN3H , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , NGB15N41CL , NGB18N40CLB , NGB8202AN , NGB8202N .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.