FGPF50N33BT Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGPF50N33BT
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
Тип корпуса: TO220F
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FGPF50N33BT Datasheet (PDF)
fgpf50n33bt.pdf

April 2009FGPF50N33BTtm330V, 50A PDP IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 50Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast switching
Другие IGBT... FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , CRG40T60AN3H , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , NGB15N41CL , NGB18N40CLB , NGB8202AN , NGB8202N .
History: GT40J325 | APT43GA90BD30 | HM20N120T | GT10J303 | TA49117 | APT44GA60S | IXGX64N60B3D1
History: GT40J325 | APT43GA90BD30 | HM20N120T | GT10J303 | TA49117 | APT44GA60S | IXGX64N60B3D1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526