FGPF50N33BT - аналоги и описание IGBT

 

FGPF50N33BT - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: FGPF50N33BT
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FGPF50N33BT

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры FGPF50N33BT

 ..1. Size:655K  fairchild semi
 fgpf50n33bt.pdf pdf_icon

FGPF50N33BT

April 2009 FGPF50N33BT tm 330V, 50A PDP IGBT Features General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild s new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage VCE(sat) =1.6V @ IC = 50A tions where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast switching

Другие IGBT... FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , CRG40T60AN3H , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , NGB15N41CL , NGB18N40CLB , NGB8202AN , NGB8202N .

 

 
Back to Top

 


 
.