Справочник IGBT. FGPF50N33BT

 

FGPF50N33BT - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGPF50N33BT
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 330 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.3 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 35 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для FGPF50N33BT

 

 

FGPF50N33BT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  fairchild semi
 fgpf50n33bt.pdf

FGPF50N33BT FGPF50N33BT

April 2009FGPF50N33BTtm330V, 50A PDP IGBTFeatures General Description High current capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series oftrench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.6V @ IC = 50Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance Fast switching

Другие IGBT... FGH80N60FD2 , FGL35N120FTD , FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , BT40T60ANF , FGY75N60SMD , SGF23N60UF , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , NGB15N41CL , NGB18N40CLB , NGB8202AN , NGB8202N .

 

 
Back to Top