FGY75N60SMD Todos los transistores

 

FGY75N60SMD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FGY75N60SMD

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.9

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 75

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: Power-247

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FGY75N60SMD Datasheet (PDF)

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