SGF23N60UF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGF23N60UF

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.1

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO3PF

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SGF23N60UF Datasheet (PDF)

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October 2001 IGBT SGF23N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF • High Speed Switching series provides low conduction and switching losses. • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12A UF series is designed for the applications such as motor • High Input Impedance control and general inverters where High

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