SGF23N60UF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SGF23N60UF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO3PF

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SGF23N60UF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGF23N60UF даташит

 ..1. Size:541K  fairchild semi
 sgf23n60uf.pdf pdf_icon

SGF23N60UF

October 2001 IGBT SGF23N60UF Ultra-Fast IGBT General Description Features Fairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switching series provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12A UF series is designed for the applications such as motor High Input Impedance control and general inverters where High

 ..2. Size:394K  onsemi
 sgf23n60uf.pdf pdf_icon

SGF23N60UF

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGL60N100BNTD, FGP20N60UFD, FGP5N60LS, FGPF4533, FGPF4536, FGPF4633, FGPF50N33BT, FGY75N60SMD, RJP30E2DPP-M0, SGP10N60RUFD, SGS5N150UF, NGB15N41CL, NGB18N40CLB, NGB8202AN, NGB8202N, NGB8204N, NGB8206AN