Справочник IGBT. SGF23N60UF

 

SGF23N60UF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SGF23N60UF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 49 nC
   Тип корпуса: TO3PF

 Аналог (замена) для SGF23N60UF

 

 

SGF23N60UF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  fairchild semi
 sgf23n60uf.pdf

SGF23N60UF SGF23N60UF

October 2001 IGBTSGF23N60UFUltra-Fast IGBTGeneral Description FeaturesFairchild's Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF High Speed Switchingseries provides low conduction and switching losses. Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 12AUF series is designed for the applications such as motor High Input Impedancecontrol and general inverters where High

 ..2. Size:394K  onsemi
 sgf23n60uf.pdf

SGF23N60UF SGF23N60UF

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FGL60N100BNTD , FGP20N60UFD , FGP5N60LS , FGPF4533 , FGPF4536 , FGPF4633 , FGPF50N33BT , FGY75N60SMD , CRG40T60AN3H , SGP10N60RUFD , SGS5N150UF , NGB15N41CL , NGB18N40CLB , NGB8202AN , NGB8202N , NGB8204N , NGB8206AN .

 

 
Back to Top