NGD15N41CL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NGD15N41CL
Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 107 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 440 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 15 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 1.9 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 4000 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 55 pF
Paquete / Cubierta: DPAK
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NGD15N41CL Datasheet (PDF)
ngd15n41cl ngb15n41cl ngp15n41cl.pdf
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ngd15n41a.pdf
NGD15N41CL,NGD15N41ACL,NGB15N41CL,NGB15N41ACL,NGP15N41CL,NGP15N41ACLhttp://onsemi.comIgnition IGBT 15 A, 410 V15 AMPSN-Channel DPAK, D2PAK and TO-220410 VOLTSThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresVCE(on) 3 2.1 V @monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary
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Liste
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