NGD15N41CL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: NGD15N41CL  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 440 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4000 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для NGD15N41CL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGD15N41CL даташит

 ..1. Size:167K  onsemi
 ngd15n41cl ngb15n41cl ngp15n41cl.pdf pdf_icon

NGD15N41CL

NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL Preferred Device Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts http //onsemi.com N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 15 AMPS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped 410 VOLTS protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses VCE(on) 3 2.1 V @ include I

 6.1. Size:146K  onsemi
 ngd15n41a.pdf pdf_icon

NGD15N41CL

NGD15N41CL, NGD15N41ACL, NGB15N41CL, NGB15N41ACL, NGP15N41CL, NGP15N41ACL http //onsemi.com Ignition IGBT 15 A, 410 V 15 AMPS N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 410 VOLTS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features VCE(on) 3 2.1 V @ monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary

Другие IGBT... NGB18N40CLB, NGB8202AN, NGB8202N, NGB8204N, NGB8206AN, NGB8206N, NGB8207AN, NGB8207N, SGT60N60FD1P7, NGD18N40CLB, NGD8201A, NGD8201N, NGD8205N, NGP15N41CL, FID60-06D, FII24N17AH1, FII30-06D