Аналоги NGD15N41CL. Основные параметры
Наименование: NGD15N41CL
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 440 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 4000 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NGD15N41CL
NGD15N41CL даташит
ngd15n41cl ngb15n41cl ngp15n41cl.pdf
NGD15N41CL, NGB15N41CL, NGP15N41CL Preferred Device Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts http //onsemi.com N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 15 AMPS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped 410 VOLTS protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses VCE(on) 3 2.1 V @ include I
ngd15n41a.pdf
NGD15N41CL, NGD15N41ACL, NGB15N41CL, NGB15N41ACL, NGP15N41CL, NGP15N41ACL http //onsemi.com Ignition IGBT 15 A, 410 V 15 AMPS N-Channel DPAK, D2PAK and TO-220 410 VOLTS This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features VCE(on) 3 2.1 V @ monolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary
Другие IGBT... NGB18N40CLB , NGB8202AN , NGB8202N , NGB8204N , NGB8206AN , NGB8206N , NGB8207AN , NGB8207N , IRG7IC28U , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D .
History: NGP15N41CL
History: NGP15N41CL
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc458 transistors | 2sa992 | 2sa970 | a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124


