FID60-06D Todos los transistores

 

FID60-06D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FID60-06D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 65 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 120 nC
   Paquete / Cubierta: I4-PAC-5LEAD
     - Selección de transistores por parámetros

 

FID60-06D Datasheet (PDF)

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FID60-06D

FID 60-06DIC25 = 65 AIGBT Boost ChopperVCES = 600 Vin ISOPLUS i4-PACVCE(sat) typ. = 1.6 V341E728732FeaturesIGBT NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage with positive VCES TVJ = 25C to 150C 600 V temperature coefficient VGES 20 V - fast switching - wide safe operating areaIC25 TC = 25C 65 A HiPerFR

Otros transistores... NGB8207AN , NGB8207N , NGD15N41CL , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , CRG60T60AN3H , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC .

History: FGH40N60UF | SGH80N60UFD | MGD623S | FGH20N60UFD | AOK40B60D

 

 
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