FID60-06D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FID60-06D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FID60-06D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FID60-06D даташит

 ..1. Size:416K  1
 fid60-06d.pdf pdf_icon

FID60-06D

FID 60-06D IC25 = 65 A IGBT Boost Chopper VCES = 600 V in ISOPLUS i4-PAC VCE(sat) typ. = 1.6 V 3 4 1 E72873 2 Features IGBT NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage with positive VCES TVJ = 25 C to 150 C 600 V temperature coefficient VGES 20 V - fast switching - wide safe operating area IC25 TC = 25 C 65 A HiPerFR

Другие IGBT... NGB8207AN, NGB8207N, NGD15N41CL, NGD18N40CLB, NGD8201A, NGD8201N, NGD8205N, NGP15N41CL, CRG40T60AK3HD, FII24N17AH1, FII30-06D, FII30-12E, FII40-06D, FII50-12E, IXA12IF1200HB, IXA12IF1200PB, IXA12IF1200TC