FID60-06D - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги FID60-06D. Основные параметры


   Наименование: FID60-06D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD
 

 Аналог (замена) для FID60-06D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FID60-06D даташит

 ..1. Size:416K  1
 fid60-06d.pdf pdf_icon

FID60-06D

FID 60-06D IC25 = 65 A IGBT Boost Chopper VCES = 600 V in ISOPLUS i4-PAC VCE(sat) typ. = 1.6 V 3 4 1 E72873 2 Features IGBT NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage with positive VCES TVJ = 25 C to 150 C 600 V temperature coefficient VGES 20 V - fast switching - wide safe operating area IC25 TC = 25 C 65 A HiPerFR

Другие IGBT... NGB8207AN , NGB8207N , NGD15N41CL , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , SGT40N60FD2PN , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC .

History: RCF1565SL1 | RJH65T14DPQ-A0

 

 

 


 
↑ Back to Top
.