FID60-06D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FID60-06D
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD
FID60-06D Datasheet (PDF)
fid60-06d.pdf
FID 60-06DIC25 = 65 AIGBT Boost ChopperVCES = 600 Vin ISOPLUS i4-PACVCE(sat) typ. = 1.6 V341E728732FeaturesIGBT NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage with positive VCES TVJ = 25C to 150C 600 V temperature coefficient VGES 20 V - fast switching - wide safe operating areaIC25 TC = 25C 65 A HiPerFR
Другие IGBT... NGB8207AN , NGB8207N , NGD15N41CL , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , IHW20N135R5 , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2