Справочник IGBT. FID60-06D

 

FID60-06D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FID60-06D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

FID60-06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  1
 fid60-06d.pdf pdf_icon

FID60-06D

FID 60-06DIC25 = 65 AIGBT Boost ChopperVCES = 600 Vin ISOPLUS i4-PACVCE(sat) typ. = 1.6 V341E728732FeaturesIGBT NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage with positive VCES TVJ = 25C to 150C 600 V temperature coefficient VGES 20 V - fast switching - wide safe operating areaIC25 TC = 25C 65 A HiPerFR

Другие IGBT... NGB8207AN , NGB8207N , NGD15N41CL , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , CRG60T60AN3H , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC .

History: TIG056BF | SGP20N60 | MMG75S120B6TN | FGW30N120HD | CIF25P120P | SGH15N120RUFD | HGTG34N100E2

 

 
Back to Top

 


 
.