FII24N17AH1 Todos los transistores

 

FII24N17AH1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FII24N17AH1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 140 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 18 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
   Paquete / Cubierta: I4-PAC-5LEAD
 

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FII24N17AH1 datasheet

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FII24N17AH1

Advance Technical Data FII24N17AH1 FII24N17AH1 IC25 = 18 A High Voltage IGBT VCES = 1700 V Phase-Leg VCE(sat) = 6.0 V 3 ISOPLUS i4-PACTM Package 5 4 1 1 2 5 IGBT Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT3 IGBT VCES TVJ = 25 C to 150 C 1700 V - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VGES Continuous 20 V easy paralleling 30 V - fa

Otros transistores... NGB8207N , NGD15N41CL , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , RJH3047 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ .

History: OST120N65HEMF | HIA20N140IH-DA | STGWT40H65DFB | NGD8205N

 

 

 


 
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