FII24N17AH1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FII24N17AH1  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 140 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS

Encapsulados: I4-PAC-5LEAD

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FII24N17AH1 datasheet

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FII24N17AH1

Advance Technical Data FII24N17AH1 FII24N17AH1 IC25 = 18 A High Voltage IGBT VCES = 1700 V Phase-Leg VCE(sat) = 6.0 V 3 ISOPLUS i4-PACTM Package 5 4 1 1 2 5 IGBT Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT3 IGBT VCES TVJ = 25 C to 150 C 1700 V - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VGES Continuous 20 V easy paralleling 30 V - fa

Otros transistores... NGB8207N, NGD15N41CL, NGD18N40CLB, NGD8201A, NGD8201N, NGD8205N, NGP15N41CL, FID60-06D, CRG40T65AK5HD, FII30-06D, FII30-12E, FII40-06D, FII50-12E, IXA12IF1200HB, IXA12IF1200PB, IXA12IF1200TC, IXA17IF1200HJ