FII24N17AH1 - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги FII24N17AH1. Основные параметры


   Наименование: FII24N17AH1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD
 

 Аналог (замена) для FII24N17AH1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FII24N17AH1 даташит

 ..1. Size:711K  1
 fii24n17ah1.pdf pdf_icon

FII24N17AH1

Advance Technical Data FII24N17AH1 FII24N17AH1 IC25 = 18 A High Voltage IGBT VCES = 1700 V Phase-Leg VCE(sat) = 6.0 V 3 ISOPLUS i4-PACTM Package 5 4 1 1 2 5 IGBT Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT3 IGBT VCES TVJ = 25 C to 150 C 1700 V - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VGES Continuous 20 V easy paralleling 30 V - fa

Другие IGBT... NGB8207N , NGD15N41CL , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , RJH3047 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ .

History: OST15N65DRF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.