Справочник IGBT. FII24N17AH1

 

FII24N17AH1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FII24N17AH1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 105 nC
   Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD
 

 Аналог (замена) для FII24N17AH1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FII24N17AH1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  1
 fii24n17ah1.pdf pdf_icon

FII24N17AH1

Advance Technical DataFII24N17AH1FII24N17AH1 IC25 = 18 AHigh Voltage IGBTVCES = 1700 VPhase-LegVCE(sat) = 6.0 V3ISOPLUS i4-PACTM Package541125 IGBTFeaturesSymbol Conditions Maximum Ratings NPT3 IGBTVCES TVJ = 25C to 150C 1700 V- low saturation voltage- positive temperature coefficient forVGES Continuous 20 V easy paralleling 30 V - fa

Другие IGBT... NGB8207N , NGD15N41CL , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , GT45F122 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ .

 

 
Back to Top

 


 
.