FII24N17AH1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FII24N17AH1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 18 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FII24N17AH1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FII24N17AH1 даташит

 ..1. Size:711K  1
 fii24n17ah1.pdf pdf_icon

FII24N17AH1

Advance Technical Data FII24N17AH1 FII24N17AH1 IC25 = 18 A High Voltage IGBT VCES = 1700 V Phase-Leg VCE(sat) = 6.0 V 3 ISOPLUS i4-PACTM Package 5 4 1 1 2 5 IGBT Features Symbol Conditions Maximum Ratings NPT3 IGBT VCES TVJ = 25 C to 150 C 1700 V - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VGES Continuous 20 V easy paralleling 30 V - fa

Другие IGBT... NGB8207N, NGD15N41CL, NGD18N40CLB, NGD8201A, NGD8201N, NGD8205N, NGP15N41CL, FID60-06D, CRG40T65AK5HD, FII30-06D, FII30-12E, FII40-06D, FII50-12E, IXA12IF1200HB, IXA12IF1200PB, IXA12IF1200TC, IXA17IF1200HJ