FII30-06D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FII30-06D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
Paquete / Cubierta: I4-PAC-5LEAD
Búsqueda de reemplazo de FII30-06D IGBT
FII30-06D Datasheet (PDF)
fii30-06d.pdf
FII 30-06DIC25 = 30 AIGBT phaselegVCES = 600 Vin ISOPLUS i4-PACVCE(sat) typ. = 1.9 V3541E728732FeaturesIGBT NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltageVCES TVJ = 25C to 150C 600 V - positive temperature coefficient for easy parallelingVGES 20 V - fast switchingIC25 TC = 25C 30 A HiPerFRED diode
fii30-12e.pdf
FII 30-12EIC25 = 33 ANPT3 IGBTVCES = 1200 VPhaseleg TopologyVCE(sat) typ = 2.4 Vin ISOPLUS i4-PACTM3541152Features IGBTs NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient ofsaturation voltage for easy parallelingVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- fast switching- short tail current for optimizedVGES 20 Vperformance
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Liste
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