FII30-06D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FII30-06D  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS

Encapsulados: I4-PAC-5LEAD

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FII30-06D datasheet

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FII30-06D

FII 30-06D IC25 = 30 A IGBT phaseleg VCES = 600 V in ISOPLUS i4-PAC VCE(sat) typ. = 1.9 V 3 5 4 1 E72873 2 Features IGBT NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage VCES TVJ = 25 C to 150 C 600 V - positive temperature coefficient for easy paralleling VGES 20 V - fast switching IC25 TC = 25 C 30 A HiPerFRED diode

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FII30-06D

FII 30-12E IC25 = 33 A NPT3 IGBT VCES = 1200 V Phaseleg Topology VCE(sat) typ = 2.4 V in ISOPLUS i4-PACTM 3 5 4 1 1 5 2 Features IGBTs NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient of saturation voltage for easy paralleling VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V - fast switching - short tail current for optimized VGES 20 V performance

Otros transistores... NGD15N41CL, NGD18N40CLB, NGD8201A, NGD8201N, NGD8205N, NGP15N41CL, FID60-06D, FII24N17AH1, RJH3047, FII30-12E, FII40-06D, FII50-12E, IXA12IF1200HB, IXA12IF1200PB, IXA12IF1200TC, IXA17IF1200HJ, IXA20I1200PB