Справочник IGBT. FII30-06D

 

FII30-06D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FII30-06D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
   Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

FII30-06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  1
 fii30-06d.pdf pdf_icon

FII30-06D

FII 30-06DIC25 = 30 AIGBT phaselegVCES = 600 Vin ISOPLUS i4-PACVCE(sat) typ. = 1.9 V3541E728732FeaturesIGBT NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltageVCES TVJ = 25C to 150C 600 V - positive temperature coefficient for easy parallelingVGES 20 V - fast switchingIC25 TC = 25C 30 A HiPerFRED diode

 8.1. Size:157K  1
 fii30-12e.pdf pdf_icon

FII30-06D

FII 30-12EIC25 = 33 ANPT3 IGBTVCES = 1200 VPhaseleg TopologyVCE(sat) typ = 2.4 Vin ISOPLUS i4-PACTM3541152Features IGBTs NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient ofsaturation voltage for easy parallelingVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- fast switching- short tail current for optimizedVGES 20 Vperformance

Другие IGBT... NGD15N41CL , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , IHW20N135R5 , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB .

History: NGB8206N | NGB8206AN | FII40-06D

 

 
Back to Top

 


 
.