FII30-06D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FII30-06D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS

Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FII30-06D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FII30-06D даташит

 ..1. Size:354K  1
 fii30-06d.pdf pdf_icon

FII30-06D

FII 30-06D IC25 = 30 A IGBT phaseleg VCES = 600 V in ISOPLUS i4-PAC VCE(sat) typ. = 1.9 V 3 5 4 1 E72873 2 Features IGBT NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage VCES TVJ = 25 C to 150 C 600 V - positive temperature coefficient for easy paralleling VGES 20 V - fast switching IC25 TC = 25 C 30 A HiPerFRED diode

 8.1. Size:157K  1
 fii30-12e.pdf pdf_icon

FII30-06D

FII 30-12E IC25 = 33 A NPT3 IGBT VCES = 1200 V Phaseleg Topology VCE(sat) typ = 2.4 V in ISOPLUS i4-PACTM 3 5 4 1 1 5 2 Features IGBTs NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient of saturation voltage for easy paralleling VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V - fast switching - short tail current for optimized VGES 20 V performance

Другие IGBT... NGD15N41CL, NGD18N40CLB, NGD8201A, NGD8201N, NGD8205N, NGP15N41CL, FID60-06D, FII24N17AH1, RJH3047, FII30-12E, FII40-06D, FII50-12E, IXA12IF1200HB, IXA12IF1200PB, IXA12IF1200TC, IXA17IF1200HJ, IXA20I1200PB