FII30-06D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FII30-06D
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 65 nC
Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD
FII30-06D Datasheet (PDF)
fii30-06d.pdf
FII 30-06DIC25 = 30 AIGBT phaselegVCES = 600 Vin ISOPLUS i4-PACVCE(sat) typ. = 1.9 V3541E728732FeaturesIGBT NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltageVCES TVJ = 25C to 150C 600 V - positive temperature coefficient for easy parallelingVGES 20 V - fast switchingIC25 TC = 25C 30 A HiPerFRED diode
fii30-12e.pdf
FII 30-12EIC25 = 33 ANPT3 IGBTVCES = 1200 VPhaseleg TopologyVCE(sat) typ = 2.4 Vin ISOPLUS i4-PACTM3541152Features IGBTs NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient ofsaturation voltage for easy parallelingVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V- fast switching- short tail current for optimizedVGES 20 Vperformance
Другие IGBT... NGD15N41CL , NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , GT30F126 , FII30-12E , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2