FII30-12E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FII30-12E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 33 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
Paquete / Cubierta: I4-PAC-5LEAD
Búsqueda de reemplazo de FII30-12E IGBT
FII30-12E datasheet
fii30-12e.pdf
FII 30-12E IC25 = 33 A NPT3 IGBT VCES = 1200 V Phaseleg Topology VCE(sat) typ = 2.4 V in ISOPLUS i4-PACTM 3 5 4 1 1 5 2 Features IGBTs NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient of saturation voltage for easy paralleling VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V - fast switching - short tail current for optimized VGES 20 V performance
fii30-06d.pdf
FII 30-06D IC25 = 30 A IGBT phaseleg VCES = 600 V in ISOPLUS i4-PAC VCE(sat) typ. = 1.9 V 3 5 4 1 E72873 2 Features IGBT NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage VCES TVJ = 25 C to 150 C 600 V - positive temperature coefficient for easy paralleling VGES 20 V - fast switching IC25 TC = 25 C 30 A HiPerFRED diode
Otros transistores... NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , RJH30E2DPP , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB .
Liste
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