FII30-12E - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги FII30-12E. Основные параметры


   Наименование: FII30-12E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 33 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS
   Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD
 

 Аналог (замена) для FII30-12E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FII30-12E даташит

 ..1. Size:157K  1
 fii30-12e.pdf pdf_icon

FII30-12E

FII 30-12E IC25 = 33 A NPT3 IGBT VCES = 1200 V Phaseleg Topology VCE(sat) typ = 2.4 V in ISOPLUS i4-PACTM 3 5 4 1 1 5 2 Features IGBTs NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - positive temperature coefficient of saturation voltage for easy paralleling VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V - fast switching - short tail current for optimized VGES 20 V performance

 8.1. Size:354K  1
 fii30-06d.pdf pdf_icon

FII30-12E

FII 30-06D IC25 = 30 A IGBT phaseleg VCES = 600 V in ISOPLUS i4-PAC VCE(sat) typ. = 1.9 V 3 5 4 1 E72873 2 Features IGBT NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage VCES TVJ = 25 C to 150 C 600 V - positive temperature coefficient for easy paralleling VGES 20 V - fast switching IC25 TC = 25 C 30 A HiPerFRED diode

Другие IGBT... NGD18N40CLB , NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , RJH30E2DPP , FII40-06D , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB .

History: OST120N65H5SMF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.