FII40-06D Todos los transistores

 

FII40-06D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FII40-06D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: I4-PAC-5LEAD
 

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FII40-06D datasheet

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FII40-06D

FII 40-06D IC25 = 40 A IGBT phaseleg VCES = 600 V in ISOPLUS i4-PAC VCE(sat) typ. = 1.8 V 3 5 4 1 E72873 2 Features IGBT NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage VCES TVJ = 25 C to 150 C 600 V - positive temperature coefficient for easy paralleling VGES 20 V - fast switching IC25 TC = 25 C 40 A HiPerFRED diode

Otros transistores... NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , IKW50N60T , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB .

History: SRE60N120FSSDATP | NGB8206N | APT100GF60JRD | SRE80N065FSUD6 | LEGM200BH120L2K | OST120N65H5SMF

 

 

 


 
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