FII40-06D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FII40-06D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Paquete / Cubierta: I4-PAC-5LEAD
Búsqueda de reemplazo de FII40-06D IGBT
FII40-06D Datasheet (PDF)
fii40-06d.pdf
FII 40-06DIC25 = 40 AIGBT phaselegVCES = 600 Vin ISOPLUS i4-PACVCE(sat) typ. = 1.8 V3541E728732FeaturesIGBT NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltageVCES TVJ = 25C to 150C 600 V - positive temperature coefficient for easy parallelingVGES 20 V - fast switchingIC25 TC = 25C 40 A HiPerFRED diode
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Liste
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irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569