Справочник IGBT. FII40-06D

 

FII40-06D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FII40-06D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC
   Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD

 Аналог (замена) для FII40-06D

 

 

FII40-06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  1
 fii40-06d.pdf

FII40-06D FII40-06D

FII 40-06DIC25 = 40 AIGBT phaselegVCES = 600 Vin ISOPLUS i4-PACVCE(sat) typ. = 1.8 V3541E728732FeaturesIGBT NPT IGBT technologySymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltageVCES TVJ = 25C to 150C 600 V - positive temperature coefficient for easy parallelingVGES 20 V - fast switchingIC25 TC = 25C 40 A HiPerFRED diode

Другие IGBT... NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , SGT40N60FD2PN , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB .

 

 
Back to Top