FII40-06D - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги FII40-06D. Основные параметры


   Наименование: FII40-06D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD
 

 Аналог (замена) для FII40-06D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FII40-06D даташит

 ..1. Size:264K  1
 fii40-06d.pdf pdf_icon

FII40-06D

FII 40-06D IC25 = 40 A IGBT phaseleg VCES = 600 V in ISOPLUS i4-PAC VCE(sat) typ. = 1.8 V 3 5 4 1 E72873 2 Features IGBT NPT IGBT technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage VCES TVJ = 25 C to 150 C 600 V - positive temperature coefficient for easy paralleling VGES 20 V - fast switching IC25 TC = 25 C 40 A HiPerFRED diode

Другие IGBT... NGD8201A , NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , IKW50N60T , FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB .

History: OST120N65H4UMF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.