FII50-12E Todos los transistores

 

FII50-12E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FII50-12E
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: I4-PAC-5LEAD
 

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FII50-12E Datasheet (PDF)

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FII50-12E

FII 50-12EIC25 = 50 ANPT3 IGBT phaselegVCES = 1200 Vin ISOPLUS i4-PACTMVCE(sat) typ.= 2.0 V3541152Features IGBTs NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V easy paralleling- fast switchingVGES 20 V- short tail current for optimizedIC25 TC = 25C 5

Otros transistores... NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , IHW20N135R5 , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , IXA27IF1200HJ .

History: TGAN40N120F2DW | OST15N65PRF | STGWT40H65DFB | SGTP5T60SD1D | SRE80N065FSUD8 | YGF15N65T2

 

 
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