FII50-12E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FII50-12E  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Encapsulados: I4-PAC-5LEAD

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FII50-12E datasheet

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FII50-12E

FII 50-12E IC25 = 50 A NPT3 IGBT phaseleg VCES = 1200 V in ISOPLUS i4-PACTM VCE(sat) typ.= 2.0 V 3 5 4 1 1 5 2 Features IGBTs NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V easy paralleling - fast switching VGES 20 V - short tail current for optimized IC25 TC = 25 C 5

Otros transistores... NGD8201N, NGD8205N, NGP15N41CL, FID60-06D, FII24N17AH1, FII30-06D, FII30-12E, FII40-06D, IHW20N135R5, IXA12IF1200HB, IXA12IF1200PB, IXA12IF1200TC, IXA17IF1200HJ, IXA20I1200PB, IXA20IF1200HB, IXA20PG1200DHGLB, IXA27IF1200HJ