FII50-12E IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FII50-12E
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Paquete / Cubierta: I4-PAC-5LEAD
Búsqueda de reemplazo de FII50-12E IGBT
FII50-12E datasheet
fii50-12e.pdf
FII 50-12E IC25 = 50 A NPT3 IGBT phaseleg VCES = 1200 V in ISOPLUS i4-PACTM VCE(sat) typ.= 2.0 V 3 5 4 1 1 5 2 Features IGBTs NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V easy paralleling - fast switching VGES 20 V - short tail current for optimized IC25 TC = 25 C 5
Otros transistores... NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , YGW60N65F1A1 , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , IXA27IF1200HJ .
History: SRE80N065FSU
History: SRE80N065FSU
Liste
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