FII50-12E - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FII50-12E
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 150 nC
Paquete / Cubierta: I4-PAC-5LEAD
Búsqueda de reemplazo de FII50-12E - IGBT
FII50-12E Datasheet (PDF)
fii50-12e.pdf
FII 50-12EIC25 = 50 ANPT3 IGBT phaselegVCES = 1200 Vin ISOPLUS i4-PACTMVCE(sat) typ.= 2.0 V3541152Features IGBTs NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V easy paralleling- fast switchingVGES 20 V- short tail current for optimizedIC25 TC = 25C 5
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Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2