Справочник IGBT. FII50-12E

 

FII50-12E - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FII50-12E
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 150 nC
   Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD

 Аналог (замена) для FII50-12E

 

 

FII50-12E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  1
 fii50-12e.pdf

FII50-12E FII50-12E

FII 50-12EIC25 = 50 ANPT3 IGBT phaselegVCES = 1200 Vin ISOPLUS i4-PACTMVCE(sat) typ.= 2.0 V3541152Features IGBTs NPT3 IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage- positive temperature coefficient forVCES TVJ = 25C to 150C 1200 V easy paralleling- fast switchingVGES 20 V- short tail current for optimizedIC25 TC = 25C 5

Другие IGBT... NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , IKW30N60H3 , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , IXA27IF1200HJ .

 

 
Back to Top