FII50-12E - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги FII50-12E. Основные параметры


   Наименование: FII50-12E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: I4-PAC-5LEAD
 

 Аналог (замена) для FII50-12E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FII50-12E даташит

 ..1. Size:190K  1
 fii50-12e.pdf pdf_icon

FII50-12E

FII 50-12E IC25 = 50 A NPT3 IGBT phaseleg VCES = 1200 V in ISOPLUS i4-PACTM VCE(sat) typ.= 2.0 V 3 5 4 1 1 5 2 Features IGBTs NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V easy paralleling - fast switching VGES 20 V - short tail current for optimized IC25 TC = 25 C 5

Другие IGBT... NGD8201N , NGD8205N , NGP15N41CL , FID60-06D , FII24N17AH1 , FII30-06D , FII30-12E , FII40-06D , YGW60N65F1A1 , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , IXA27IF1200HJ .

History: SRE80N065FSU2DB | OST15N65FRF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.