IXA27IF1200HJ Todos los transistores

 

IXA27IF1200HJ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXA27IF1200HJ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 43 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXA27IF1200HJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  ixys
 ixa27if1200hj.pdf pdf_icon

IXA27IF1200HJ

IXA27IF1200HJVCES = 1200VXPT IGBTI= 43 AC25VCE(sat) = 1.8VCopackPart numberIXA27IF1200HJBackside: isolated2(C)(G) 13(E)Features / Advantages: Applications: Package: ISOPLUS247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry standard outline

Otros transistores... FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , SGH80N60UFD , IXA30PG1200DHGLB , IXA33IF1200HB , IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 .

History: TGAN60N65F2DR | STGW25H120DF2 | IXYR50N120C3D1 | IXGN200N60B | RJP6085DPN-00 | IXA12IF1200PB | SGT15U65SD1F

 

 
Back to Top

 


 
.