Справочник IGBT. IXA27IF1200HJ

 

IXA27IF1200HJ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXA27IF1200HJ
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 43 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 76 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXA27IF1200HJ

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXA27IF1200HJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  ixys
 ixa27if1200hj.pdf pdf_icon

IXA27IF1200HJ

IXA27IF1200HJVCES = 1200VXPT IGBTI= 43 AC25VCE(sat) = 1.8VCopackPart numberIXA27IF1200HJBackside: isolated2(C)(G) 13(E)Features / Advantages: Applications: Package: ISOPLUS247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry standard outline

Другие IGBT... FII50-12E , IXA12IF1200HB , IXA12IF1200PB , IXA12IF1200TC , IXA17IF1200HJ , IXA20I1200PB , IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , GT30F133 , IXA30PG1200DHGLB , IXA33IF1200HB , IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 .

 

 
Back to Top

 


 
.