IXA55I1200HJ Todos los transistores

 

IXA55I1200HJ - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXA55I1200HJ
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 84 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXA55I1200HJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  ixys
 ixa55i1200hj.pdf pdf_icon

IXA55I1200HJ

IXA55I1200HJpreliminaryVCES = 1200VXPT IGBTI= 84 AC25VCE(sat) = 1.8VSingle IGBTPart numberIXA55I1200HJBackside: isolated(C) 2(G) 1(E) 3Features / Advantages: Applications: Package: ISOPLUS247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry s

Otros transistores... IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , IXA27IF1200HJ , IXA30PG1200DHGLB , IXA33IF1200HB , IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IKW50N60T , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IXBF32N300 , IXBF40N160 , IXBF42N300 , IXBF55N300 , IXBF9N160G .

History: SGB07N120 | SGB06N60 | SGH10N120RUF | IXGK60N60B2D1 | APT15GP90K | IXBF12N300 | IRGB4086

 

 
Back to Top

 


 
.