Справочник IGBT. IXA55I1200HJ

 

IXA55I1200HJ - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXA55I1200HJ
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 84 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 190 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXA55I1200HJ

 

 

IXA55I1200HJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  ixys
 ixa55i1200hj.pdf

IXA55I1200HJ IXA55I1200HJ

IXA55I1200HJpreliminaryVCES = 1200VXPT IGBTI= 84 AC25VCE(sat) = 1.8VSingle IGBTPart numberIXA55I1200HJBackside: isolated(C) 2(G) 1(E) 3Features / Advantages: Applications: Package: ISOPLUS247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry s

Другие IGBT... IXA20IF1200HB , IXA20PG1200DHGLB , IXA27IF1200HJ , IXA30PG1200DHGLB , IXA33IF1200HB , IXA37IF1200HJ , IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , GT45F122 , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IXBF32N300 , IXBF40N160 , IXBF42N300 , IXBF55N300 , IXBF9N160G .

 

 
Back to Top