IXA55I1200HJ - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXA55I1200HJ

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 84 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXA55I1200HJ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXA55I1200HJ даташит

 ..1. Size:156K  ixys
 ixa55i1200hj.pdf pdf_icon

IXA55I1200HJ

IXA55I1200HJ preliminary VCES = 1200V XPT IGBT I= 84 A C25 VCE(sat) = 1.8V Single IGBT Part number IXA55I1200HJ Backside isolated (C) 2 (G) 1 (E) 3 Features / Advantages Applications Package ISOPLUS247 Easy paralleling due to the positive temperature AC motor drives Isolation Voltage V 3600 coefficient of the on-state voltage Solar inverter Industry s

Другие IGBT... IXA20IF1200HB, IXA20PG1200DHGLB, IXA27IF1200HJ, IXA30PG1200DHGLB, IXA33IF1200HB, IXA37IF1200HJ, IXA40PG1200DHGLB, IXA45IF1200HB, SGT60U65FD1PT, IXA60IF1200NA, IXBF12N300, IXBF20N300, IXBF32N300, IXBF40N160, IXBF42N300, IXBF55N300, IXBF9N160G