CT20TM-8 Todos los transistores

 

CT20TM-8 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CT20TM-8
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(pulse) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

CT20TM-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  mitsubishi
 ct20tm-8.pdf pdf_icon

CT20TM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20TM-8STROBE FLASHER USECT20TM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm10.5MAX.2.85.2 3.21.3MAX.0.82.54 2.54 0.5 2.6qwewq GATEq w COLLECTORe EMITTERVCES ............................................................................... 400VeICM .........................................................................

Otros transistores... BUK856-400IZ , BUK856-800A , BUK866-400IZ , CM75DY-28H , CT15SM-24 , CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , IKW75N60T , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 .

History: MMG400HB060B6EN | SKM50GB12V | 40MT120UHAPBF | BSM100GAL120DN2 | MMG200DR060UZA | APT25GP90BDF1 | IRGIB15B60KD1P

 

 
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