Справочник IGBT. CT20TM-8

 

CT20TM-8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT20TM-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(pulse) A @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CT20TM-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  mitsubishi
 ct20tm-8.pdf pdf_icon

CT20TM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20TM-8STROBE FLASHER USECT20TM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm10.5MAX.2.85.2 3.21.3MAX.0.82.54 2.54 0.5 2.6qwewq GATEq w COLLECTORe EMITTERVCES ............................................................................... 400VeICM .........................................................................

Другие IGBT... BUK856-400IZ , BUK856-800A , BUK866-400IZ , CM75DY-28H , CT15SM-24 , CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , IKW75N60T , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 .

History: IXXK200N60B3 | SM2G100US60 | FGPF4565 | APT33GF120B2RD | MMG50J120UZ | IXBH42N170A | 4MBI400VG-060R-50

 

 
Back to Top

 


 
.