CT20TM-8 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CT20TM-8
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 130(pulse)
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Тип корпуса: TO220F
CT20TM-8 Datasheet (PDF)
ct20tm-8.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20TM-8STROBE FLASHER USECT20TM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm10.5MAX.2.85.2 3.21.3MAX.0.82.54 2.54 0.5 2.6qwewq GATEq w COLLECTORe EMITTERVCES ............................................................................... 400VeICM .........................................................................
Другие IGBT... BUK856-400IZ , BUK856-800A , BUK866-400IZ , CM75DY-28H , CT15SM-24 , CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , GT30G124 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 .
![CT20TM-8](https://alltransistors.com/images/us.png)
![CT20TM-8](https://alltransistors.com/images/es.png)
![CT20TM-8](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ