IXBF42N300 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBF42N300

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 240 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 330 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF

Encapsulados: ISOPLUS-I4-PAK

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IXBF42N300 datasheet

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IXBF42N300

Preliminary Technical Information High Voltage, BiMOSFETTM VCES = 3000V IXBF42N300 Monolithic Bipolar MOS IC110 = 24A Transistor VCE(sat) 3.0V (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 25 V 1 2 VGEM Transient 35 V

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IXBF42N300

IXBF 40N160 IC25 = 28 A High Voltage VCES = 1600 V BIMOSFETTM VCE(sat) = 6.2 V in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM tf = 40 ns Monolithic Bipolar MOS Transistor 1 5 Features IGBT High Voltage BIMOSFETTM Symbol Conditions Maximum Ratings - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop VCES TVJ = 25 C to 150 C 1600 V - fast switching for high frequ

Otros transistores... IXA40PG1200DHGLB, IXA45IF1200HB, IXA55I1200HJ, IXA60IF1200NA, IXBF12N300, IXBF20N300, IXBF32N300, IXBF40N160, FGH75T65UPD, IXBF55N300, IXBF9N160G, IXBH10N170, IXBH12N300, IXBH16N170, IXBH16N170A, IXBH20N300, IXBH24N170