IXBF42N300 Todos los transistores

 

IXBF42N300 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBF42N300
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 240 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 330 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 170 pF
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXBF42N300 Datasheet (PDF)

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IXBF42N300

Preliminary Technical InformationHigh Voltage, BiMOSFETTMVCES = 3000VIXBF42N300Monolithic Bipolar MOSIC110 = 24ATransistorVCE(sat) 3.0V(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 V12VGEM Transient 35 V

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 ixbf40n160.pdf pdf_icon

IXBF42N300

IXBF 40N160IC25 = 28 AHigh VoltageVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 6.2 Vin High Voltage ISOPLUS i4-PACTMtf = 40 nsMonolithic Bipolar MOS Transistor15Features IGBT High Voltage BIMOSFETTMSymbol Conditions Maximum Ratings - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage dropVCES TVJ = 25C to 150C 1600 V- fast switching for high frequ

Otros transistores... IXA40PG1200DHGLB , IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IXBF32N300 , IXBF40N160 , IRGP4066D , IXBF55N300 , IXBF9N160G , IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A , IXBH20N300 , IXBH24N170 .

History: STGW15H120DF2 | MM40G120L | 2MBI600VE-120-50 | FGH40T100SMD | APTGF75SK60D1 | VS-150MT060WDF | STGW40H120F2

 

 
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