IXBF42N300 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBF42N300

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF

Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAK

 Аналог (замена) для IXBF42N300

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBF42N300 даташит

 ..1. Size:202K  ixys
 ixbf42n300.pdf pdf_icon

IXBF42N300

Preliminary Technical Information High Voltage, BiMOSFETTM VCES = 3000V IXBF42N300 Monolithic Bipolar MOS IC110 = 24A Transistor VCE(sat) 3.0V (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 25 V 1 2 VGEM Transient 35 V

 9.1. Size:85K  ixys
 ixbf40n160.pdf pdf_icon

IXBF42N300

IXBF 40N160 IC25 = 28 A High Voltage VCES = 1600 V BIMOSFETTM VCE(sat) = 6.2 V in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM tf = 40 ns Monolithic Bipolar MOS Transistor 1 5 Features IGBT High Voltage BIMOSFETTM Symbol Conditions Maximum Ratings - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop VCES TVJ = 25 C to 150 C 1600 V - fast switching for high frequ

Другие IGBT... IXA40PG1200DHGLB, IXA45IF1200HB, IXA55I1200HJ, IXA60IF1200NA, IXBF12N300, IXBF20N300, IXBF32N300, IXBF40N160, FGH75T65UPD, IXBF55N300, IXBF9N160G, IXBH10N170, IXBH12N300, IXBH16N170, IXBH16N170A, IXBH20N300, IXBH24N170