IXBF55N300 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBF55N300

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 86 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 307 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 275 pF

Encapsulados: ISOPLUS-I4-PAK

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IXBF55N300 datasheet

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IXBF55N300

High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBF55N300 BIMOSFETTM IC110 = 34A VCE(sat) 3.2V Monolithic Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 25 V 1 2 VGEM Transient 35 V Isolated Tab 5 IC25 TC

 9.1. Size:209K  ixys
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IXBF55N300

Advance Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 3600V IXBF50N360 Bipolar MOS Transistor IC110 = 28A High Voltage, VCE(sat) 2.9V High Frequency (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V 1 2 VGES Continuous 20 V Isolated Ta

Otros transistores... IXA45IF1200HB, IXA55I1200HJ, IXA60IF1200NA, IXBF12N300, IXBF20N300, IXBF32N300, IXBF40N160, IXBF42N300, GT30F133, IXBF9N160G, IXBH10N170, IXBH12N300, IXBH16N170, IXBH16N170A, IXBH20N300, IXBH24N170, IXBH28N170A