IXBF55N300 Todos los transistores

 

IXBF55N300 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBF55N300
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 357 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 86 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 307 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 275 pF
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXBF55N300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  ixys
 ixbf55n300.pdf pdf_icon

IXBF55N300

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBF55N300BIMOSFETTMIC110 = 34AVCE(sat) 3.2VMonolithic BipolarMOS Transistor(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 V12VGEM Transient 35 VIsolated Tab5IC25 TC

 9.1. Size:209K  ixys
 ixbf50n360.pdf pdf_icon

IXBF55N300

Advance Technical InformationBiMOSFETTM MonolithicVCES = 3600VIXBF50N360Bipolar MOS TransistorIC110 = 28AHigh Voltage,VCE(sat) 2.9VHigh Frequency(Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3600 V12VGES Continuous 20 VIsolated Ta

Otros transistores... IXA45IF1200HB , IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IXBF32N300 , IXBF40N160 , IXBF42N300 , STGB10NB37LZ , IXBF9N160G , IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A , IXBH20N300 , IXBH24N170 , IXBH28N170A .

History: STGF20H60DF | BSM300GB120DLC | IXXH50N60C3 | IXYL60N450 | IXBX28N300HV | MMG400D060B6TC | IXGA48N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.