IXBF55N300 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBF55N300

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 86 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 307 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 275 pF

Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAK

 Аналог (замена) для IXBF55N300

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBF55N300 даташит

 ..1. Size:208K  ixys
 ixbf55n300.pdf pdf_icon

IXBF55N300

High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBF55N300 BIMOSFETTM IC110 = 34A VCE(sat) 3.2V Monolithic Bipolar MOS Transistor (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 25 V 1 2 VGEM Transient 35 V Isolated Tab 5 IC25 TC

 9.1. Size:209K  ixys
 ixbf50n360.pdf pdf_icon

IXBF55N300

Advance Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 3600V IXBF50N360 Bipolar MOS Transistor IC110 = 28A High Voltage, VCE(sat) 2.9V High Frequency (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V 1 2 VGES Continuous 20 V Isolated Ta

Другие IGBT... IXA45IF1200HB, IXA55I1200HJ, IXA60IF1200NA, IXBF12N300, IXBF20N300, IXBF32N300, IXBF40N160, IXBF42N300, GT30F133, IXBF9N160G, IXBH10N170, IXBH12N300, IXBH16N170, IXBH16N170A, IXBH20N300, IXBH24N170, IXBH28N170A