IXBF9N160G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBF9N160G
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 34 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAK
Búsqueda de reemplazo de IXBF9N160G - IGBT
IXBF9N160G Datasheet (PDF)
ixbf9n160g.pdf
IXBF 9N160 GIC25 = 7 AHigh VoltageVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 4.9 Vin High Voltage ISOPLUS i4-PACTMtf = 70 ansMonolithic Bipolar MOS Transistor15Features IGBT High Voltage BIMOSFETTMSymbol Conditions Maximum Ratings - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage dropVCES TVJ = 25C to 150C 1600 V- MOSFET compatible control
Otros transistores... IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IXBF32N300 , IXBF40N160 , IXBF42N300 , IXBF55N300 , MGD623S , IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A , IXBH20N300 , IXBH24N170 , IXBH28N170A , IXBH2N250 .
Liste
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