IXBF9N160G Todos los transistores

 

IXBF9N160G - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBF9N160G
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.9 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXBF9N160G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  ixys
 ixbf9n160g.pdf pdf_icon

IXBF9N160G

IXBF 9N160 GIC25 = 7 AHigh VoltageVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 4.9 Vin High Voltage ISOPLUS i4-PACTMtf = 70 ansMonolithic Bipolar MOS Transistor15Features IGBT High Voltage BIMOSFETTMSymbol Conditions Maximum Ratings - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage dropVCES TVJ = 25C to 150C 1600 V- MOSFET compatible control

Otros transistores... IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IXBF32N300 , IXBF40N160 , IXBF42N300 , IXBF55N300 , GT30F125 , IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A , IXBH20N300 , IXBH24N170 , IXBH28N170A , IXBH2N250 .

History: AOB30B65LN2V | MMG200D120B6TC | APTGT75DA120D1

 

 
Back to Top

 


 
.