IXBF9N160G IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBF9N160G

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 70 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS

Encapsulados: ISOPLUS-I4-PAK

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IXBF9N160G datasheet

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IXBF9N160G

Otros transistores... IXA55I1200HJ, IXA60IF1200NA, IXBF12N300, IXBF20N300, IXBF32N300, IXBF40N160, IXBF42N300, IXBF55N300, TGAN60N60F2DS, IXBH10N170, IXBH12N300, IXBH16N170, IXBH16N170A, IXBH20N300, IXBH24N170, IXBH28N170A, IXBH2N250