IXBF9N160G - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBF9N160G

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAK

 Аналог (замена) для IXBF9N160G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBF9N160G даташит

 ..1. Size:82K  ixys
 ixbf9n160g.pdf pdf_icon

IXBF9N160G

Другие IGBT... IXA55I1200HJ, IXA60IF1200NA, IXBF12N300, IXBF20N300, IXBF32N300, IXBF40N160, IXBF42N300, IXBF55N300, TGAN60N60F2DS, IXBH10N170, IXBH12N300, IXBH16N170, IXBH16N170A, IXBH20N300, IXBH24N170, IXBH28N170A, IXBH2N250