Справочник IGBT. IXBF9N160G

 

IXBF9N160G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBF9N160G
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 34 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAK
 

 Аналог (замена) для IXBF9N160G

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBF9N160G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  ixys
 ixbf9n160g.pdf pdf_icon

IXBF9N160G

IXBF 9N160 GIC25 = 7 AHigh VoltageVCES = 1600 VBIMOSFETTMVCE(sat) = 4.9 Vin High Voltage ISOPLUS i4-PACTMtf = 70 ansMonolithic Bipolar MOS Transistor15Features IGBT High Voltage BIMOSFETTMSymbol Conditions Maximum Ratings - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage dropVCES TVJ = 25C to 150C 1600 V- MOSFET compatible control

Другие IGBT... IXA55I1200HJ , IXA60IF1200NA , IXBF12N300 , IXBF20N300 , IXBF32N300 , IXBF40N160 , IXBF42N300 , IXBF55N300 , RJH60F5DPQ-A0 , IXBH10N170 , IXBH12N300 , IXBH16N170 , IXBH16N170A , IXBH20N300 , IXBH24N170 , IXBH28N170A , IXBH2N250 .

 

 
Back to Top

 


 
.