IXBH6N170 Todos los transistores

 

IXBH6N170 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBH6N170
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 12 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.84 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 59 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 25 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXBH6N170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  ixys
 ixbh6n170.pdf pdf_icon

IXBH6N170

High Voltage, High GainVCES = 1700VIXBH6N170BIMOSFETTM MonolithicIXBT6N170IC90 = 6ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.4VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGVGES Continuous 20 VC (TAB)CEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 12 ATO-268 (IXBT)

 ..2. Size:181K  ixys
 ixbh6n170 ixbt6n170.pdf pdf_icon

IXBH6N170

High Voltage, High GainVCES = 1700VIXBH6N170BIMOSFETTM MonolithicIXBT6N170IC90 = 6ABipolar MOS TransistorVCE(sat) 3.4VTO-247 (IXBH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGVGES Continuous 20 VC (TAB)CEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 12 ATO-268 (IXBT)

Otros transistores... IXBH24N170 , IXBH28N170A , IXBH2N250 , IXBH32N300 , IXBH40N160 , IXBH42N170 , IXBH42N170A , IXBH5N160G , MBQ50T65FESC , IXBH9N160G , IXBK55N300 , IXBK64N250 , IXBK75N170 , IXBK75N170A , IXBL64N250 , IXBN42N170A , IXBN75N170 .

History: HCKW60N65BH2A | CRG15T60A94S | IRG4PC30FPBF | 2MBI150L-120 | MMG300D170B | IXGH30N60C3D1 | NGTB40N120FL2WG

 

 
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