IXBH6N170 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBH6N170

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 12 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.84 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 59 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 25 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXBH6N170

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBH6N170 даташит

 ..1. Size:178K  ixys
 ixbh6n170.pdf pdf_icon

IXBH6N170

High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBH6N170 BIMOSFETTM Monolithic IXBT6N170 IC90 = 6A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.4V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 12 A TO-268 (IXBT)

 ..2. Size:181K  ixys
 ixbh6n170 ixbt6n170.pdf pdf_icon

IXBH6N170

High Voltage, High Gain VCES = 1700V IXBH6N170 BIMOSFETTM Monolithic IXBT6N170 IC90 = 6A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.4V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 12 A TO-268 (IXBT)

Другие IGBT... IXBH24N170, IXBH28N170A, IXBH2N250, IXBH32N300, IXBH40N160, IXBH42N170, IXBH42N170A, IXBH5N160G, SGT40N60FD2PT, IXBH9N160G, IXBK55N300, IXBK64N250, IXBK75N170, IXBK75N170A, IXBL64N250, IXBN42N170A, IXBN75N170