IXBK55N300 Todos los transistores

 

IXBK55N300 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXBK55N300
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 307 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 275 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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IXBK55N300 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  ixys
 ixbk55n300.pdf pdf_icon

IXBK55N300

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBK55N300BiMOSFETTMIC110 = 55AIXBX55N300VCE(sat) 3.2VMonolithic BipolarMOS TransistorTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 150C 3000 VETabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 VPLUS247 (IXBX)VGEM Transient 35 VIC25 TC = 25C ( Chip

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History: IXGA16N60C2D1 | FGH75T65SHD | FGH75T65SHDTLN4 | IXGH50N60B4D1 | IXGX72N60A3H1 | IXGH50N90B2D1

 

 
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