IXBK55N300 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBK55N300
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 307 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 275 pF
Paquete / Cubierta: TO264
- Selección de transistores por parámetros
IXBK55N300 Datasheet (PDF)
ixbk55n300.pdf

High Voltage, High GainVCES = 3000VIXBK55N300BiMOSFETTMIC110 = 55AIXBX55N300VCE(sat) 3.2VMonolithic BipolarMOS TransistorTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 150C 3000 VETabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 25 VPLUS247 (IXBX)VGEM Transient 35 VIC25 TC = 25C ( Chip
Otros transistores... IXBH2N250 , IXBH32N300 , IXBH40N160 , IXBH42N170 , IXBH42N170A , IXBH5N160G , IXBH6N170 , IXBH9N160G , XNF15N60T , IXBK64N250 , IXBK75N170 , IXBK75N170A , IXBL64N250 , IXBN42N170A , IXBN75N170 , IXBN75N170A , IXBP5N160G .
History: MMG100S120B6HN | DM2G150SH6NE | MMG200D120B6UC | CM50YE13-12H | CM100RL-24NF | FGH40T65SHD-F155 | CM600DXL-24S
History: MMG100S120B6HN | DM2G150SH6NE | MMG200D120B6UC | CM50YE13-12H | CM100RL-24NF | FGH40T65SHD-F155 | CM600DXL-24S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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