IXBK55N300 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXBK55N300

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 307 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 275 pF

Encapsulados: TO264

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IXBK55N300 datasheet

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IXBK55N300

High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBK55N300 BiMOSFETTM IC110 = 55A IXBX55N300 VCE(sat) 3.2V Monolithic Bipolar MOS Transistor TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G C VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V E Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 25 V PLUS247 (IXBX) VGEM Transient 35 V IC25 TC = 25 C ( Chip

Otros transistores... IXBH2N250, IXBH32N300, IXBH40N160, IXBH42N170, IXBH42N170A, IXBH5N160G, IXBH6N170, IXBH9N160G, FGL60N100BNTD, IXBK64N250, IXBK75N170, IXBK75N170A, IXBL64N250, IXBN42N170A, IXBN75N170, IXBN75N170A, IXBP5N160G